晶闸管测试仪 库号：M234586

• 型   号：型号:M234586
• 价   格：8800

IGBT、场效应管、整流桥、固态继电器、光耦等半导体器件都可测试。采用单片机控制，是晶闸管可控硅及整流管等半导体器件单位、经销商及整机单位用来检测器件伏安特性（也叫阻|断特性）参数的检测设备。

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IGBT、场效应管、整流桥、固态继电器、光耦等半导体器件都可测试。采用单片机控制，是晶闸管可控硅及整流管等半导体器件单位、经销商及整机单位用来检测器件伏安特性（也叫阻|断特性）参数的检测设备。



主要技术指标：

1．峰值电压测量范围：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V可选，也可定制其它范围

2．峰值漏电流测量范围：0—100mA、0—200mA可选，也可定制其它范围

3．峰值漏电流保护设定范围：0—99mA、0—198mA

4．机内液晶示波器可观看动态峰值电压与峰值漏电流的变化伏安特性曲线波形



仪器测试使用方法：

1．检查高压调节旋钮反时针调到零，打开电源开关，按极性接好被测管。

2．根据个人习惯，调节示波器的功能（光点位置、颜色、粗细等）至 合适状态。

3．将保护设定调在要求保护的漏电流值。拨码开关上面的一个数字代表1mA， 多可以设定到99mA，一般

测室温电压时，保护设定在5mA左右。

4．将正向／反向按钮置于正向（不按下时），缓慢顺时针调节高压调节旋钮，观察示波器，当波形出现拐点，

漏电流表上也显示有漏电流时，此时的电压即为正向不重复峰值电压。一般取不重复峰值电压的90%为重复峰值电压，将电压调至重复峰值电压，此电压下的漏电流即为重复峰值漏电流。然后将高压调节旋钮反时针调到零，再将正向／反向按钮置于反向（按下时），用同样的方法测出反向不重复峰值电压，反向重复峰值电压和反向重复峰值漏电流。在测试过程中若因漏电流chao过保护设定值则保护动作，保护指示灯亮，设备自动断开加在被测管Ａ、Ｋ端的高压，此时将高压调节旋钮反时针旋到底，仪器即自动复位。

IGBT、场效应管、整流桥、固态继电器、光耦等半导体器件都可测试。采用单片机控制，是晶闸管可控硅及整流管等半导体器件单位、经销商及整机单位用来检测器件伏安特性（也叫阻|断特性）参数的检测设备。



主要技术指标：

1．峰值电压测量范围：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V可选，也可定制其它范围

2．峰值漏电流测量范围：0—100mA、0—200mA可选，也可定制其它范围

3．峰值漏电流保护设定范围：0—99mA、0—198mA

4．机内液晶示波器可观看动态峰值电压与峰值漏电流的变化伏安特性曲线波形



仪器测试使用方法：

1．检查高压调节旋钮反时针调到零，打开电源开关，按极性接好被测管。

2．根据个人习惯，调节示波器的功能（光点位置、颜色、粗细等）至 合适状态。

3．将保护设定调在要求保护的漏电流值。拨码开关上面的一个数字代表1mA， 多可以设定到99mA，一般

测室温电压时，保护设定在5mA左右。

4．将正向／反向按钮置于正向（不按下时），缓慢顺时针调节高压调节旋钮，观察示波器，当波形出现拐点，

漏电流表上也显示有漏电流时，此时的电压即为正向不重复峰值电压。一般取不重复峰值电压的90%为重复峰值电压，将电压调至重复峰值电压，此电压下的漏电流即为重复峰值漏电流。然后将高压调节旋钮反时针调到零，再将正向／反向按钮置于反向（按下时），用同样的方法测出反向不重复峰值电压，反向重复峰值电压和反向重复峰值漏电流。在测试过程中若因漏电流chao过保护设定值则保护动作，保护指示灯亮，设备自动断开加在被测管Ａ、Ｋ端的高压，此时将高压调节旋钮反时针旋到底，仪器即自动复位。